서론:반도체 제조에서 세라믹의 중요한 역할
세계 반도체 산업은 스마트 폰과 클라우드 컴퓨팅에서 인공 지능, 자율 주행 차량, 양자 정보 시스템에 이르기까지 모든 것을 구동하는 현대 기술의 근간입니다.반도체 소자가 줄어들면서요하위 3nm 공정 노드그리고 고급 3D 패키징 아키텍처, 제작에 사용되는 제조 장비 및 소재는 점점 더 극단적인 성능 요구 사항을 충족해야 합니다.
이 위험한 환경에서,실리콘 nitride (Si ₃ N ₄) 도자기반도체 장비 설계에서 전략적으로 가장 중요한 첨단 소재 중 하나로 부상했다.종래의 금속 과는 달리, 폴리머, 또는 심지어 다른 도자기, Si ₃ N ₄ 제공의 조합이 고유하게 균형 잡 힌플라즈마 침식 저항, 화학 불활성, 열 안정성, 기계적 인성 및 초저 입자 생성-모두 현대의 웨이퍼 가공 설비 (팹)에서 협상 불가능한 요구사항입니다.
이 포괄적인 기술 가이드에서는 플라즈마 에칭 챔버 및 CVD/PVD 증착 시스템부터 리소그래피 정렬 메커니즘, CMP 처리 및 클린룸 자동화에 이르기까지 반도체 장비 가치 사슬 전반에 걸쳐 실리콘 나이라이드 세라믹이 어떻게 적용되는지 자세히 살펴봅니다.뒤에 있는 재료 과학을 이해 함 으로써 Si ₃ N ₄과 특정 한 장점 반도체 환경에서, 기술자들과 조달 전문가 차세대 멋 진 장비에 대한 결정 입각 자재 선정 할 수 있다.
실리콘 Nitride (Si ₃ N ₄)-물질 기초
질화규소는 a비산화물 고급 세라믹 (non-oxide advanced ceramic)규소와 질소 원자가 촘촘한 3차원 공유 네트워크로 결합되어 구성되어 있습니다.앙리에 의해 처음 1857년에 합성 에티엔 Sainte-Claire Deville와 프리드리히 화학물, Si ₃ N ₄은 지난 7년 간에 걸 쳐 발전 중 하나에 가장 기술적으로 상당 한 공학 도자기, 특히 반도체 에서는, 항공우주, 및 자동차 애플리케이션이다.
휨 강도
700-1000 MPa
맥스 온도
최대 1400°C
골절 인성
6-8 MPa · m½
밀도
3.17-3.44 g/cm ³
크리스탈 단계
Si ₃ N ₄에서 존재하는 3 단계:α-phase(육각형, 저온 합성 생성물),β-phase(육각형, 열역학적으로 안정, 엔지니어링 세라믹에 선호), 그리고γ-phase(입방 스피넬 타입, 극압 에서만 >15 GPa).그 β-phase 기능을 길게 늘 어진, 맞물 려 있는 곡물 crack-bridging 메커니즘을 통해를 창출하는 자연 것이다.
Semiconductor-Grade 순도
반도체 응용 프로그램, Si ₃ N ₄ 달성 해야한 초고 순도(>99.9%)를 조절하여 미량의 금속 불순물 (<1 ppm for Fe, Cu, Na, K.물질은 생성되어야 한다미립자 오염 최소화플라즈마 노출 및 습식 화학 세정 사이클 중, fab 사용에 대한 SEMI (Semiconductor Equipment and Materials International) 표준을 충족합니다.
분자 & 결정구조의 Si ₃ N ₄
반도체 환경에서 실리콘 나이트라이드의 뛰어난 성능은 이로부터 비롯됩니다독특한 atomic-level architecture다.Si ₃ N ₄ 크리스탈은 3 차원의 네트워크에서 구성 되어 있다.죄 ₄ tetrahedra각 실리콘 원자가 4개의 질소 원자에 공유 결합되고 (sp³ hybridization), 각 질소 원자는 3개의 실리콘 원자를 평면 삼각 구성으로 연결합니다.이 촘촘한 공유 네트워크가 material&의 근본적인 근원이다#39;s 높은 경도, 화학적 불활성 및 플라즈마 침식에 대한 저항성-반도체 제조 장비에서 필수적인 특성입니다.
반도체의 구조-속성 연결
강 한 Si-N 공유 결합 (335 kJ/mol)와 약하 interlayer 부재 비행기 Si ₃에게 N ₄ 예외적인 저항을플라 즈 마 침식-성분이 고에너지 이온과 반응성 라디칼에 의해 폭격을 받는 식각실에서 중요한 인자.이 물질은 석영보다 3-10× 느리게 침식되고 불소 기반 플라즈마의 고순도 알루미나와 비교됩니다.
Semiconductor 공정과의 관련성
고밀도 3D 네트워크는 또한 보장합니다최소 한의 초전도진공 상태에서 and초저입자 (ultra-low particle) 생성플라즈마 노출 중-둘다 5nm 이하의 가공 노드에서 웨이퍼 수율을 유지하는 데 중요합니다.게다가, 화학적 유사성을 실리콘 (기판 재료 자체)은 Si ₃ N ₄와 호환 되는 본질적으로 Si-based cbc 혈액검사 과정이다.
반도체 장비용 실리콘 나이트라이드는 왜?
반도체 제조는 지구상에서 가장 기술적으로 까다로운 제조 환경 중 하나를 나타냅니다.공정 챔버는 고에너지 플라즈마, 부식성 가스, 초고진공, 신속한 열 사이클링 및 나노미터 규모의 정밀 요구 사항 등 극한 조건에서 작동합니다.Si ₃ N ₄ 도자기 여섯 키를 통해이 러한 과제 장점:
Plasma 침식 저항성
건조 한 에칭 프로세스 (파생상품, DRIE, 두개 내 압), 방 성분은 지속적으로고 에너지 이온 비난을 받하고 반응하는 플라 즈 마 종 (CF ₄, SF ₆, Cl ₂, HBr)다.Si ₃ N ₄을 보여 준플라즈마 침식에 대한 뛰어난 저항력입니다석영보다, 침식 률을 3-10 × 낮추고 비교 할 고순도 알 ₂ O ₃와 AlN fluorine-based 혈장에 있다.이를 통해 부품 수명을 연장하고 웨이퍼의 입자 오염을 줄입니다.
초저입자 (Ultra-낮은 Particle) 생성
입자 오염은#반도체 팹에서 수율 킬러 1.7nm 이하 노드에서는 20nm 입자 하나로도 트랜지스터를 파괴할 수 있다.Si ₃ N ₄ 생성현저히 적은 입자플라즈마 노출 및 열 사이클링 중 금속 또는 폴리머 부품보다, 팹이 고급 공정 단계에서 90% 이상의 수율 비율을 유지할 수 있도록 지원합니다.
열 안정성 & 충격 저항
CVD 및 확산 공정은 400-1200 °C에서 작동하며 열 사이클링이 잦습니다.Si ₃ N ₄ 's 낮은 CTE (3. 2 × 10 ⁻ ⁶/° C) 허용과 높은 열 충격 저항을 견 뎌 낼수천 개의 급속 가열/냉각 사이클균열, 뒤틀림 또는 차원 드리프트 없이-공정 반복성 및 장비 가동 시간을 유지하는 데 매우 중요합니다.
화학 Inertness
반도체 프로세스 공격적인 화학 물질을 사용-로부터 간섭, HCl, 그렇게 ₄ H ₂, NH ₃, 플라 즈 마 cbc 혈액검사와 다양 한다.Si ₃ N ₄은화학적으로 대부분의 산에 저항성이 있습니다(뜨 거 운 로부터 간섭에 집중하 며 제외 H ₂ 그래서 ₄), alkalis, 그리고 유기 용제 아주 멋 진 환경에서을 사용 했다.또한 금속화 공정에 사용되는 용융 금속으로부터의 공격에도 저항합니다.
기계적인 정밀도 & 안정성
Si ₃ N ₄ 절삭 할 수 있는sub-micrometer 공차(± 1 μ m)을 통해 다이아몬드 연마, 핥다.높은 강성 (E ≈ 300-320 GPa)과 크리프 저항성을 통해 정밀 부품이 수백만 개의 작동 사이클에 걸쳐 차원 정확도를 유지하도록 보장합니다-리소그래피 정렬 핀, 웨이퍼 핸들링 엔드 이펙터 및 로봇 암 부품에 필수적입니다.
절연
많은 반도체 공정들이 필요로 하는절연체 격리아크, 전하 축적 또는 RF 플라즈마 필드에 대한 간섭을 방지하기 위해.Si ₃ N ₄ 훌륭 한 절연 제공 (볼륨 비 저항 > 10 ¹ ² Ω · cm, 절연체 강도 > 10 kV/mm)을 유지하면서 구조적 조합을 무결 성-몇 다른 물질이 환경에서 경기 플라 즈 마 할 수 있다.
반도체 장비에서 Si ₃ N ₄ 애플리케이션에
실리콘 질화 세라믹스는 현대적인 반도체 제조 시설 내에서 사실상 모든 주요 공정 단계에 배치됩니다.아래는 주요 응용 프로그램에 대한 자세한 내역입니다:
㉮ 플라즈마 에칭 장비 (RIE/DRIE/ICP)
플라즈마 식각은 반응성 플라즈마종을 이용해 웨이퍼 표면에서 소재를 선택적으로 제거하는 공정이다.이는 장비 부품에 있어 가장 공격적인 환경 중 하나입니다.
Si ₃ N ₄ 성분 사용:식각 링 (포커스 링), 챔버 라이너, 쇼퍼 헤드 플레이트, 가스 분배 플레이트, 상/하 전극 및 웨이퍼 클램핑 링.이 부품들은 차원 안정성을 유지하고 최소한의 입자를 생성하면서 불소, 염소, 브롬 기반 플라즈마 종의 지속적인 폭격에 저항해야 한다.Si ₃ N ₄ 동판 반지 일반적으로 지난2-3 × 더 이상석영 등가보다 표준 CF ₄/SF 동판 ₆ 프로세스이다.
② CVD/PVD 증착 시스템
화학 증착 (CVD) 및 물리 증착 (PVD) 시스템은 진공 또는 제어된 가스 분위기 하에서 상승된 온도 (300~1000°C)에서 웨이퍼 위에 박막을 퇴적합니다.
Si ₃ N ₄ 성분 사용:감지기 플레이트, 히터 커버, 챔버 실드, 타겟 실드, 웨이퍼 리프트 핀 및 절연 스탠드프.어디 LPCVD 프로세스에서 Si ₃ N ₄ 영화들은 스스로 예치 (사용 SiH ₂ Cl ₂ + NH ₃), 세라믹 성분이 코팅 증강 저항 해야하 며 저하 없는 손 쉬 운 청소 활성 화하십시오.Si ₃ N ₄ 's 열 안정성과 낮은 outgassing은 이러한 초청정 환경에 이상적입니다.
다시 Lithography & Alignment Systems
리소그래피는 반도체 제작에서 가장 정밀도가 중요한 단계로 고급 노드의 경우 <1-2 nm의 오버레이 정확도가 필요합니다.위치 지정 메커니즘은 뛰어난 차원 안정성을 가진 물질을 요구합니다.
Si ₃ N ₄ 성분 사용:핀, 정렬 고정장치, 웨이퍼 스테이지 구성품 및 정밀 가이드 요소를 배치/배치합니다.Si ₃ N ₄ '고강성 (E ≈ 310 GPa), 거의 제로에 가까운 크리프, 우수한 마모 저항성의 s 조합은 수백만 번의 포지셔닝 사이클에 걸쳐 정렬 정확도가 유지되도록 보장합니다.그것의 서비스 수명은지르코니아보다 5× 길다핀 찾기 및금속 핀보다 40× 더 길다정밀 위치 지정 애플리케이션에서.
④ 화학 기계 Planarization (CMP)
CMP는 화학적 식각과 기계적 마모를 결합하여 웨이퍼 표면 전반에 걸쳐 원자 수준의 평면성을 달성합니다-다층 장치 아키텍처에 필수적입니다.
Si ₃ N ₄ 성분 사용:링, 화장대 보드 및 조절 디스크 기판 유지.그 ceramic's 특출난 경도 (HV 13-17 GPa)와 마모 저항성은 확장된 광택 사이클에서 일관된 다운 포스 분포와 슬러리 상호 작용을 보장하여 <1%의 웨이퍼 내 불균일성 (WIWNU) 목표에 직접적으로 기여합니다.
⑤ 웨이퍼 이송 & 청정 실 자동화
자동화된 웨이퍼 핸들링 로봇은 300mm (점점 더 450mm) 웨이퍼를 고속으로 공정 챔버 사이에 이송하므로 가볍고 뻣뻣하며 입자가 없고 esd에 안전한 엔드 이펙터가 필요합니다.
Si ₃ N ₄ 성분 사용:로봇 암 엔드 이펙터 (블레이드/포크), 웨이퍼 보트 구성품, FOUP (Front Opening Unified Pod) 부품 및 EFEM (Equipment Front-End Module) 구조 요소.Si ₃ N ₄ 's는 강철 대비 40%의 무게 이점을 통해 로봇 관성을 감소시켜 위치 정확도를 유지하면서 더 빠른 웨이퍼 이송 속도를 가능하게 합니다.
⑥ 고급 포장 & 테스트
2.5D/3D 통합, TSV (Through-Silicon Via), fan-out wafer level packaging (FOWLP), chiplet 아키텍처를 포함한 고급 패키징 기술은 새로운 세라믹 솔루션을 요구합니다.
Si ₃ N ₄ 성분 사용:결합 도구 인서트, 테스트 소켓 구성품, 다이는 고정 장치 및 열 관리 기판을 부착합니다.Si ₃에 사용 되는 N ₄ 도자 기판은 점점 더power 모듈 패키징wide-bandgap (SiC/지요)에 반도체 장치 간의 일치 CTE 가 Si ₃ 앤 ₄ 실리콘 칩 (~3. 2대 2. 6 × 10 ⁻ ⁶/° C) 전원 자전거 타기를하는 동안 thermomechanical 스트레스 감소시 킨다.
Si ₃ N ₄ 성분에 플라 즈 마 동판 실-단면 다이어 그램
다음 단면도는 실리콘 나이트라이드 세라믹 부품이 일반적인 내에서 배치되는 주요 위치를 보여줍니다유도결합 플라즈마 (ICP) 식각 챔버-반도체 제작에 있어 가장 중요한 장비 중 하나.각 구성요소 라벨이 붙은 특정 Si ₃ N을나 타 냅 ₄ 응용 지점에 활용 하여 material's 플라즈마 저항, 열 안정성 및 차원 정밀도.
Si ₃ N ₄ 성분에 플라 즈 마 동판 실
① 꼭지
공정 기체를 균일하게 분포합니다.Si ₃ N ₄ 저항 혈장 back-sputtering고 구멍 기하학은 유지 되고 있다.
② 포커스 링 (Focus Ring)
웨이퍼 엣지에서 플라즈마 칼집을 제어합니다.식각 균일성에 중요합니다.가장 높은 erosion-rate 성분.
다시 말해 ESC 구성요소
Electrostatic chuck 절연 층.Si ₃ N ₄ 열전도 율의 절연체 고립을 제공 합니다.
④ 방 라이너
플라즈마와 증착물로부터 챔버 벽을 보호합니다.유지보수 주기를 빠르게 청소/교체합니다.
⑤ 리프트 핀
로봇 이송을 위해 웨이퍼를 올리거나 내립니다.Si ₃ N ₄ 제공 저항과 금속 제로 오염을 착용 한다.
⑥ 배기 반지
가스 배기 유량 조절.Si ₃ N ₄ 부식 성 부산물 가스 및 PM 구간을 확장 저항 한다.
물질 비교:Si ₃ N ₄ 대 다른 반도체 도자기
다음 표는 실리콘 질화물과 반도체 장비에서 일반적으로 사용되는 다른 세라믹을 비교하여 엔지니어들이 특정 응용 분야에 대한 최적의 재료를 평가하는 데 도움을 줍니다:
| 속성 | Si ₃ N ₄ | 알 ₂ O ₃ | AlN | SiC | 석영 |
|---|---|---|---|---|---|
| 밀도 (g/cm ³) | 3. 2-3.4 | 3. 9 | 3. 3 | 3.2 | 2. 2 |
| 휨강도 (MPa) | 700-1000 ★ | 300-630 | 300-500 | 400-600 | 50-70 |
| 파괴인성 (MPa·m½) | 6-8 ★ | 3-5 | 2.5-3.5 | 3-5 | 0.7-1.0 |
| 열전도도 (W/m·K) | 20-30 | 24-30 | 170-200 ★ | 120-270 | 1. 4 |
| CTE (× 10 ⁻ ⁶/° C) | 3. ★ | 8. 1 | 4. 5 | 4. 0 | 0. 55 |
| Plasma 침식 저항성 | 훌륭 한 ★ | 훌륭 한 | 좋은 | 훌륭 한 | 가난 한 |
| 열 충격 Resistance | 훌륭 한 ★ | 적당 한 | 좋은 | 좋은 | 훌륭 한 |
| 상대적 비용 | 높은 | 낮은 ★ | 매우 높은 | 높은 | Low |
| 가장 적합 한 | 인성 + 열 순환 + 플라즈마 | 절연 + 비용 민감성 | 열 관리 | 경도 + 열전도도 | 투명성 + 저비용 |
'무희'= 비교 대상 소재 중이 부문에서 가장 좋은 성과를 낸다.값은 공학급 소결 세라믹의 전형적인 범위입니다.
키 통찰력:Si ₃ N ₄ 반도체 도자기에 특별 한 위치를 차지하고 있다-그것은 유일한 물질을 동시에 제공가장 높은 파괴 인성, 우수한 열 충격 저항, 뛰어난 플라즈마 침식 저항성다.이 조합으로 고출력 식각 공구의 포커스 링 및 웨이퍼 핸들링 엔드 이펙터와 같이 기계적 응력과 플라즈마 노출을 모두 경험하는 부품에는 대체할 수 없습니다.
Semiconductor-Grade Si ₃ N ₄ 성분에 대한 제조 과정
생산 semiconductor-grade Si ₃ N ₄ 성분 요구 표준 산업 도자기보다 훨씬 더 엄중 한 품질 관리 합니다.제조 공정은 초고순도, 제어된 미세구조 및 서브마이크로미터 차원 정확도를 보장해야 합니다.다음은 전형적인 생산 흐름입니다:
파우더 준비
고순도 Si ₃ N ₄ 파우더 (> 99. 9%)와 Y ₂ O ₃/알 ₂ O ₃ 에이즈 소 결 한다.금속 불순물 < 1ppm.
형성 (CIP)
균일 한 녹색 바디 밀도 및 거의 그물 모양을 위해 200-300 MPa에서 냉간 동정 압착.
GPS/엉덩이 소자
1750-1900°C에서 가스 압력 소결 또는 엉덩이.>99.5% 이론 밀도를 달성한다.
CNC 입
다이아몬드 연마, 핥을 ± 1 μ m 닦고 있다.Cleanroom-compatible 표면 마감 (Ra< 0. 1 μ m)다.
QC & 포장
검사 100%.입자 세기, ICP-MS 순도 분석.Cleanroom 진공 포장.
확장 지식-반도체용 표면 마감:요구 Semiconductor-grade Si ₃ N ₄ 성분이 일반적으로 표면 조도 (Ra) 값의0. 2 μ m <입자 덫을 최소화하고 효과적인 습식 세척을 가능하게 하기 위해.일부 프로그램 (예를들어, ESC 절연 층) 수요 Ra< 0. 05 μ m.마지막 광택 단계는 클린룸 환경에서 콜로이달 실리카 또는 다이아몬드 슬러리를 사용하여 오염을 방지합니다.
미래 전망:Si ₃ N ₄에 차세대 반도체 제조
반도체 산업이 발전함에 따라하위 2nm 노드, >300개의 레이어를 가진 3D 낸드, 그리고 이종 통합 아키텍처입니다장비 재료에 대한 요구는 더욱 거세질 것이다.질화 실리콘 세라믹은 여러 신흥 기술 트렌드의 중심에 자리 잡고 있습니다:
EUV 노광 시대
EUV (13.5nm) 노광 시스템에는 마스크 핸들링, 웨이퍼 스테이지 및 진공실 내부를 위한 초순도, 초안정 세라믹 부품이 필요합니다.Si ₃ N ₄ 's 낮은 outgassing과 치수 안정성으로 euv에 특화된 어플리케이션의 후보로 꼽힌다.
Si ₃ N 박막 재료로 ₄
구조적 성분을 넘어서, Si ₃ N ₄은 그 자체 가 입금 박막 (LPCVD을 통해/PECVD) 로서 웨이퍼에 게이트 절연 로서, 동판 층 멈 춰, passivation 층과 스트레스에 라이너 strained-silicon 기술이다.
Si ₃ N ₄ 결정 집적회로
Si ₃ N ₄ 결정 플랫폼은 on-chip 광학 상호 연결을 위한 중요 한 기술로 떠오르고, 양자 컴퓨팅, LiDAR, 그리고 biosensing-material& 활용 되지 않은#39;s wide transparency window (mid-IR에 표시) 및 CMOS 호환성.
와이드 밴드 갭 파워 일렉트로닉스 (Wide-Bandgap Power Electronics)
Si ₃ N ₄ 세라믹 기판은 포장, 원문 그대로와 또 뵙 전력 모 듈에 매우 중요하 되 어디 CTE 경기, 열 안정성, 자전거 타기를 능가과 고온 능력 자동차에서 전통적인 알 ₂ O ₃와 AlN 기판과 산업 전원 합니다.
결론
질화규소세라믹스는 현대반도체제조장비에서 없어서는 안될 재료로 되였다.…의 독특한 조합플라즈마 침식 저항성, 초저 입자 생성, 열 충격 안정성, 기계적 인성 및 화학적 inertness이들을 플라즈마 에칭 및 CVD/PVD 증착에서 리소그래피 정렬 및 CMP 가공에 이르기까지 가장 까다로운 공정 환경에 최적의 선택으로 만듭니다.
작은 노드를 향 반도체 기술 발전에 따라, 3D 아키텍처, 및 이질적인 통합 Si ₃의 역할, N ₄ 자라 기만 할 것이다.에게 투자 한 장비 oem와 멋 진 운영자 Si ₃의 이해와 그들이 사용하는 최적 화하는 N ₄ 세라믹, 수율에 대한 상당 한 장점을 얻을 구성 요소 가 가동 시간,과 소유권의 총 비용이다.
샤먼 HUACIJULI 신소재 유한 회사.신뢰 할 수 있는 제조 파트너로 준비 가 되어 있 있 서 서, 제공 semiconductor-grade Si ₃ N ₄ 성분의 엄격 한 사양을 충족하려고 설계 된 world's 가장 첨단 가공 설비.수십 년간의 세라믹 엔지니어링 전문 지식과 포괄적인 맞춤형 설계 역량을 통해 반도체 산업이 요구하는 정밀도, 순도, 성능을 제공합니다.
자주 묻는 질문 (FAQ)
Q1:실리콘 나이트라이드는 왜 반도체 장비에 사용됩니까?
실리콘 nitride (Si ₃ N ₄) 그것이 제공하는기 때문에 사용 되는특출한 플라즈마 침식 저항성, 입자 발생을 최소화한 고순도, 1400°C 까지의 우수한 열 안정성, 우수한 파괴 인성 (6~8 MPa·m½), 그리고 뛰어난 전기 절연다.이러한 특성으로 인해 웨이퍼 처리 챔버, 식각 링, 포커스 링, 쇼퍼 헤드 플레이트 및 정밀 포지셔닝 부품에 이상적입니다.
질문:반도체 장비 구성 요소는 무엇으로 만들어 졌 Si ₃ N ₄?
주요 구성 요소 include식각 링/포커스 링, 쇼퍼 헤드 플레이트, 챔버 라이너, ESC 부품, 웨이퍼 리프팅 핀, 위치 지정/위치 지정 핀, CMP 유지 링, 웨이퍼 핸들링 엔드 이펙터, CVD/PVD 감쇠 부품다.Si ₃ N ₄ 또한 박막 절연체과 동판으로 사용 되이 층에 직접 입금 된 웨이퍼 중지 합니다.
Q3:어떻게 Si ₃ N ₄ 다른 반도체 응용 프로그램에서 도자기을 비교 할까?
Si ₃ N ₄ 제공파괴인성 (highest fracture toughness)(6-8대 3-5 MPa·m½을 알 ₂ O ₃)와superior 열 충격 저항반도체 세라믹스 중에서.AlN 및 SiC보다 열전도도가 낮지만 더 나은 기계적 신뢰성으로 보상합니다.CTE (3. 2 × 10 ⁻ ⁶/° C) 실리콘과 밀접하게 일치 (2. 6 × 10 ⁻ ⁶/° C), thermomechanical 스트레스를 줄이다.
Q4:의 역할은 무엇 Si ₃ N ₄ 웨이퍼 제작에?
Si ₃ N ₄는 이중 역할:장비 부품에 대한 구조 재료입니다(식각 링, 챔버 부품, 위치 지정 핀) 플라즈마와 화학 공격에 저항하는 그리고 as a웨이퍼 위에 증착된 박막 물질게이트 유전체, etch는 고급 CMOS 공정에서 레이어, 패시베이션 및 스트레스 라이너로 사용하기 위해 LPCVD/PECVD를 통해 중지합니다.
우리:얼마나 Si ₃ N에 마지막 ₄ 구성요소 반도체 장비?
Si ₃ N ₄ 성분이 일반적으로 지난석영보다 2-3× 더 길다플라스마 식각 환경에서 등가물 및지르코니아보다 5× 길다핀 위치다.웨이퍼 취급 애플리케이션에서는 서비스 수명이 초과될 수 있습니다40× 금속 성분의 그것다.권력에 따라 정확 한 평생 공정 화학, 플라 즈 마, 온도, 그리고 사이클-하지만 Si ₃ N ₄ 문적인 세라믹 옵션 사이에서 지속적으로 순위 가 있다.
