실리콘 Nitride 부품은 실리콘 Nitride에서 제조 된 세라믹 구성 요소 (Si ₃ N ₄) 요구하는 응용 프로그램을 요구하는 고강도, 경도, 저항을 입고 thermal-shock 저항, 화학적 안정성, 전기 절연 elevated-temperature 환경에서와 신뢰 할 수 있는 성능 있습니다.
실리콘 Nitride 부품은 표준 또는 맞춤 형 실리콘 Nitride로 만들 어진 공학 구성 요소 (Si ₃ N ₄) 고급 도자기.베어링, 롤러, 축, 엔진 부품, 용접 고정 장치, 히팅 시스템 부품, 반도체 장비 부품, 열전대 보호 부품 및 기타 정밀 세라믹 요소로 제조 할 수 있습니다.
질화규소는 기존의 재료에 추가적인 기계적 강도, 경도, 마모 저항, 열 안정성, 화학적 안정성 또는 전기 절연성이 필요할 때 선택된 고성능 비산화물 세라믹입니다.
제공 된 기술 정보에 따르면 실리콘 질화물은 넓은 온도 범위에 걸쳐 높은 강도, 파괴 인성, 휨 강도, 기계적 피로 및 크리프 저항, 저밀도, 고경도, 마모 저항, 열 충격 저항, 저 열팽창, 전기 절연, 산화 저항 및 화학 부식 저항성을 제공합니다.
실리콘의 성능 Nitride 선택 한 Si ₃와 함께 시작 된 N ₄ 일부 세라믹 학년, 미세구조에 제조 및 경로이다.질화규소 처리 방법에 따라 밀도, 강도, 인성, 열 거동 및 전기적 특성의 다양한 조합을 만들 수 있습니다.
넓은 온도 범위에 걸친 높은 강도로 기계적으로 적재된 세라믹 부품을 지원합니다.
높은 경도 및 마모 저항은 마찰, 미끄럼, 충격 및 반복 접촉에 노출 된 구성 요소를 지원합니다.
낮은 열팽창과 유리한 열물성은 온도 변화를 수반하는 어플리케이션을 지원합니다.
나열된 재료 등급은 3.18-3.40 g/cm ³ 정도의 밀도를 가지며, 비교적 가벼운 세라믹 솔루션을 제공합니다.
고전량 비저항 및 유전 강도는 선택된 전기 절연 부품을 지원합니다.
좋은 산화 및 화학 부식 방지 지원 까다로운 산업 환경.
다음 값은 제공된 HCJL material-property 테이블의 참조 데이터입니다.그것들은 모든 완성된 구성품에 대한 보편적인 보증이라기 보다는 예비 재료 선택 및 엔지니어링 평가에 사용되어야 합니다.
| 물질 재산 | 단위 | HCJL1000 | HCJL2000 | HCJL3000 | HCJL4000 |
|---|---|---|---|---|---|
| 밀도 | g/cm³ | 3.18-3.40 | 3.18-3.40 | 3.18-3.26 | 3.23 |
| 압축 강도 | MPa | 3000 | 3000 | 3000 | 3000 |
| 25° C에서 휨 강도 | MPa | 680 | 970 | 760-830 | 850 |
| 파괴인성 KIC | MPa · m1/2 | 6. | 6. | 6.2-6.5 | 8. 5 |
| Young's 탄성 계수 | 평점 | 300 | 300 | 300-310 | 340 |
| 경도 | 평점 | 15 | 15 | 15.3-15.6 | 16 |
| 20° C에서 열 전도도 | W/mK | 25 | 22 | 22 | 28 |
| 불활성 분위기에서 최대 온도 * | °C | 1400 | 1400 | 1400 | 1200 |
| 공기 중 최대 온도 * | °C | 1200 | 1200 | 1200 | 1100 |
| 25°C에서 부피 비저항 | 옴 · cm | 1014 | 1014 | 1014 | 1012 |
| 25°C에서 절전 강도 DC | kV/mm | 19 | 19 | 19 | 19 |
질화규소가 완성된 엔지니어링 성분으로 전환되면 재료 특성이 기능성 성분 특성이 됩니다.따라서 최종 부분은 기계적 부하, 마찰, 온도, 전기적 격리, 화학적 노출 및 차원 요구 사항을 중심으로 설계될 수 있습니다.
높은 압축 및 휨 강도는 하중을 지탱하는 세라믹 부품을 지원합니다.
고경도는 슬라이딩, 롤링, 마모 및 반복적인 기계적 접촉을 포함하는 응용 분야를 지원합니다.
선택한 등급은 애플리케이션별 부하 및 대기의 영향을 받는 고온 환경에서 사용할 수 있습니다.
낮은 CTE는 온도 변동시 차원 변화를 제어하는 데 도움이 됩니다.
높은 전기비저항 및 절연강도가 절연 구조를 지지합니다.
완성된 구성품은 응용 프로그램 요구 사항에 따라 정밀 가공 및 다이아몬드 접지가 가능합니다.
실리콘 질화물 부품은 강도, 마모 저항성, 열 안정성, 내화학성 및 전기 절연성의 필요한 조합에 따라 다양한 장비에 맞게 엔지니어링할 수 있습니다.
베어링 볼, 롤러, 링 및 관련 회전 구성 요소는 실리콘 nitride&를 활용할 수 있습니다#39;s 경도, 마모 저항 및 낮은 밀도.
엔진 밸브, 로커암 패드 및 실링 표면은 실리콘 나이트라이드 어플리케이션으로 식별됩니다.
Si ₃ N ₄ 성분 반도체 과정에서 사용 할 수 있고 안정 된 세라믹 절연 성능을 요구하는 장비다.
용접 고정 장치, 브레이징 고정 장치, 포지셔닝 구성 요소 및 TIG/플라즈마 용접 노즐은 응용 분야가 식별됩니다.
실리콘 질화물은 유도 가열 코일 어셈블리 및 관련 고온 구조물의 지지 재료로 사용할 수 있습니다.
터빈 블레이드, 가이드 베인 및 고온 구조 부품은 나열된 응용 분야입니다.
롤러를 형성하는 금속 튜브, 죽고 다른 high-wear 세라믹 성분에서 Si ₃ N ₄ 만들 어질 수 있다.
가열 요소 어셈블리, 십자가 관련 부품 및 고온 고정 장치는 실리콘 질화 세라믹을 사용할 수 있습니다.
실리콘 질화물 부품은 일반적으로 하나의 범용 차원 표준보다는 부품 도면 및 응용 조건에 따라 엔지니어링됩니다.
| 규격 | 참조 | 응용 프로그램 중요성 |
|---|---|---|
| 1. 물질 학년 | HCJL1000/HCJL2000/HCJL3000/HCJL4000이다 | 관련 기계, 열 및 전기적 특성을 결정합니다. |
| 2. 구성 요소 차원 | OD, ID, 길이, 너비, 두께, 프로파일 또는 도형 정의 지오메트리 | 장비 적합, 조립 인터페이스 및 부하 분배를 제어합니다. |
| 3. 표면 마감 | 정밀 가공 또는 다이아몬드 연삭 | 베어링, 슬라이딩, 실링 및 정밀 접촉 응용 분야에 중요합니다. |
| 4. 기계적 요건 | 강도, 경도, 파괴 인성 및 양상 | 구성품을 기계적 하중, 충격 및 마모 조건에 일치시키는 데 사용됩니다. |
| 5. 열 & 전기 필요조건 | 온도, 열 충격, 비저항 및 dielectric 요구 사항 | 고온 및 전기 절연 응용 분야에 적합한지 판단하는 데 도움이 됩니다. |
저밀도, 고강성, 온도 기능, 마모 저항성 및 치수 안정성이 요구되는 응용 분야.
경도, 마모 저항 및 상대적으로 낮은 밀도를 요구하는 볼, 롤러, 링 및 정밀 베어링 구성 요소.
엔진 밸브, 로커 암 패드, 밀봉 표면 및 기타 마모 또는 온도에 노출된 구성품.
사용자 정의 Si ₃ N ₄ 성분 제조 주변 고객 그림, 장비 인터페이스와 공학 요구 사항이다.
롤러, 축, 형성 다이, 용접 고정 장치, 배치 구성 요소 및 고마모 기계 부품.
질화규소는 공급된 소스에서 의료용 부품의 소재로 확인됩니다.특정 애플리케이션 및 규제 요건은 개별적으로 평가해야 합니다.
장비 및 기능 요구 사항에 따라 실리콘 질화 부품은 다음을 포함할 수 있습니다:
실리콘 질화 베어링 볼과 롤링 요소
실리콘 나이트라이드 롤러 베어링 및 링
정밀 세라믹 축과 액슬
엔진 밸브 및 마모 구성품
유도 가열 코일 지지
터빈 블레이드와 가이드 베인
용접 및 브레이징 고정 장치
히팅 요소 지원 구성품입니다
십자형 관련 세라믹 부품
롤러 및 다이를 형성하는 금속
TIG 및 플라즈마 용접 노즐
열전대 보호 튜브 및 양면
※ 반도체 가공 부품
제조 경로는 원하는 소재 특성, 부품 형상, 생산량 및 가공 요구 사항에 따라 선택됩니다.
적합 한 Si ₃ N ₄ 학년을 선택 합니다.
준비 Si ₃ N ₄ 가루와 첨가물 적합 합니다.
필요한 녹색 세라믹 형상을 만듭니다.
최종 밀도화 전에 기계 적합한 복잡한 기능.
제어된 조건에서 세라믹의 밀도를 높입니다.
정밀 치수 및 기능 표면을 달성하십시오.
완성된 부품을 합의된 요구사항과 비교하여 확인합니다.
| Process | 과정 설명 | 고려 응용 프로그램 |
|---|---|---|
| HCJL1000-가스 압력 소결 | 실리콘 질화 분말은 소결 보조 장치 및 바인더와 결합되어 필요한 형상으로 형성되고 질소 분위기에서 소결되어 밀도를 촉진합니다. | 제공된 문서는 고강도 및 복합 형상 실리콘 질화 부품에 대한이 경로를 식별합니다. |
| HCJL2000-뜨거운 압착 | 질화 실리콘 분말 및 소결 보조제는 전용 장비 및 공구를 사용하여 가열되는 동안 균일하게 압착됩니다. | 출원은이 공정을 통해 우수한 기계적 특성이 생성되고 일반적으로 더 단순한 형상에 적합하다고 설명합니다. |
| HCJL3000-뜨거운 동위 압착 | 세라믹을 공고히하고 공극을 줄이기 위해 불활성 가스를 사용하여 고온 및 고압이 균일하게 적용됩니다. | 제공된 정보는 HIP이 더 높은 처리 비용과 함께 밀도, 기계적 특성 및 신뢰성을 향상시킬 수 있음을 나타냅니다. |
| HCJL4000-압출 가스 압력 소결 | 질화 실리콘 분말은 소결 보조 장치 및 바인더와 결합되고 가스 압력 소결 전에 적합한 세라믹 형태로 가공됩니다. | 선택된 세라믹 형태 및 후속 정밀 가공에 적합합니다. |
HCJL1000, HCJL2000, HCJL3000 및 HCJL4000은 엔지니어링 선택을 위한 다양한 물성 조합을 제공합니다.
가스 압력 소자, 핫 프레싱, 고온 동정 프레싱 및 압출 가스 압력 소자는 공급 된 재료 시스템 내에서 사용 가능한 공정 루트입니다.
고객의 도면, 장비 인터페이스, 치수 및 기능 요구사항을 중심으로 컴포넌트를 개발할 수 있습니다.
차원 제어 및 기능성 세라믹 표면을 위해 정밀 가공 및 다이아몬드 연삭이 통합될 수 있습니다.
적절한 세라믹 등급을 선택할 때 기계적, 열 및 전기적 특성을 함께 고려할 수 있습니다.
고객 도면 및 작동 조건은 맞춤형 질화실리콘 부품 개발을 위한 기반으로 사용할 수 있습니다.
질화 실리콘은 단순히 금속 부품을 직접 대체하기보다는 엔지니어링된 세라믹 소재로 선택되어야 합니다.올바른 실리콘 질화 부품은 재료 등급, 형상, 부하, 온도, 분위기, 마찰, 전기 요구 사항 및 제조 공정 간의 관계에 따라 달라집니다.
예를 들어, 베어링 구성요소는 경도, 마모 저항, 밀도, 차원 정확성 및 표면 마감의 우선 순위를 정할 수 있습니다.반도체 부품은 전기적 절연, 화학적 안정성 및 온도 저항성에 더 큰 중점을 둘 수 있습니다.용접 설비에는 열 충격 저항 및 치수 안정성이 필요할 수 있는 반면, 항공 우주 부품에는 밀도, 강성 및 온도 능력의 다른 균형이 필요할 수 있습니다.
샤먼 HUACIJULI는 베어링, 항공 우주 장비, 엔진, 기계 시스템, 용접 장비, 반도체 가공 및 기타 까다로운 산업 응용 분야를 위한 실리콘 질화 세라믹 소재 및 맞춤형 부품 솔루션을 제공합니다.어플리케이션별 실리콘 나이트라이드 부품 평가를 위해 귀하의 도면, 치수 및 작동 조건을 전송합니다.
| Property | Unit | HCJL1000 | HCJL2000 | HCJL3000 | HCJL4000 |
|---|---|---|---|---|---|
| Density | g/cm3 | 3.18-3.40 | 3.18-3.40 | 3.18-3.26 | 3.23 |
| Compressive Strength | MPa | 3000 | 3000 | 3000 | 3000 |
| Flexural Strength @ 25°C | MPa | 680 | 970 | 760-830 | 850 |
| Weibull-Modulus m | – | 18 | 20 | 12 | 18 |
| Fracture Toughness KIc | MPa m1/2 | 6.1 | 6.2 | 6.2-6.5 | 8.5 |
| Young‘s Modulus | GPa | 300 | 300 | 300-310 | 340 |
| Poisson’s Ratio | – | 0.26 | 0.26 | 0.26 | 0.28 |
| Hardness | GPa | 15 | 15 | 15.3-15.6 | 16 |
| Property | Unit | HCJL1000 | HCJL2000 | HCJL3000 | HCJL4000 |
|---|---|---|---|---|---|
| Thermal Conductivity @ 20°C | W/mK | 25 | 22 | 22 | 28 |
| Thermal Shock Parameter R1 | K | 558 | 748 | 590-620 | 700 |
| Thermal Shock Parameter R2 | W/m | 14 | 18 | 15 | 19 |
| CTE1 25°C ➞ 250°C | 10-6/K | 1.4 | 1.4 | 1.4 | 1.9 |
| CTE1 25°C ➞ 1000°C | 10-6/K | 3.2 | 3.2 | 3.2 | 3.2 |
| Maximum Temperature (Inert) 2 | °C | 1400 | 1400 | 1400 | 1200 |
| Maximum Temperature (Air) 2 | °C | 1200 | 1200 | 1200 | 1100 |
1 Coefficient of Thermal Expansion (CTE) describes how the size of an object changes with a change in temperature.
2 No load.
| Property | Unit | HCJL1000 | HCJL2000 | HCJL3000 | HCJL4000 |
|---|---|---|---|---|---|
| Volume Resistivity @ 25°C | ohm-cm | 1014 | 1014 | 1014 | 1012 |
| Dielectric Strength DC @ 25°C | kV/mm | 19 | 19 | 19 | 19 |
| Dielectric Constant | 1 MHz | 8 | 8 | 8 | 7 |
Disclaimer: The values presented are mean and typical of those resulted from test samples. They are provided as an indication only to serve as guidance in the design of ceramic components and are not guaranteed in any way. The actual values can vary according to the shape and size of the envisioned component.
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